• AR
  • EN

پایــگاه خبــری

  • فهرست اخبار
  • آموزشی
  • پژوهشی
  • دانشجویی و فرهنگی
  • اداری
  • دستاوردها
  • نشست‌ها
  • انتصاب‌ها
  • خبرنامه‌ها
    > فهرست اخبار > جلسه دفاع از پایان نامه : مهران قهرمانی، گروه الکترونیک
تاریخ: 1401/12/9
ساعت: 8:50
بازدید: 149
شماره خبر: 19424

چاپ خبر
ارسال خبر

اخبار مرتبط

گالری

برچسب‌ها

    به اشتراک بگذارید

     
    جلسه دفاع از پایان نامه : مهران قهرمانی، گروه الکترونیک

    جلسه دفاع از پایان نامه : مهران قهرمانی، گروه الکترونیک

    خلاصه خبر:

    عنوان پایان‌نامه: طراحی حلقه‌ی قفل فاز زیر نمونه بردار نوع یک در باند فرکانسی 2.6 گیگاهرتز

    ارائه کننده: مهران قهرمانی
    استاد راهنما: دکتر امیر نیک‌پیک
    استاد ناظر داخلی اول: دکتر سعید سعیدی
    استاد ناظر خارجی اول: دکتر مسعود مقدادی نیشابوری (دانشگاه شهید بهشتی) 
    تاریخ: 1401/12/10
    ساعت: 16 
    مکان: سالن جلسات دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

     چکیده
    در سال‌های اخیر حلقه‌های قفل فاز مبتنی بر نوسان ساز‌های حلقوی بسیار مورد توجه بوده است. محدوده‌ی تنظیم فرکانسی وسیع، قابلیت تولید یک فرکانس با فازهای متفاوت و داشتن مساحت اشغالی پایین بر روی تراشه از جمله مزیت‌های این ‌گونه حلقه‌ها به شمار می‌رود. با این حال چالش اصلی، چگونگی تضعیف نویز فاز نوسان‌ساز می‌باشد. تلاش‌های زیادی در رابطه با کاهش نویز فاز اینگونه حلقه‌ها صورت گرفته اما کاهش همزمان نویز فاز و سطح شاخک در این ساختارها سخت می‌باشد. این پایان نامه ابتدا یک حلقه قفل فاز نوع یک زیر نمونه‌بردار، مبتنی بر نوسان‌ساز حلقوی را با پهنای باند گسترده، نزدیک به  پیشنهاد می‌کند. تکنیک افزایش پهنای باند با استفاده از آشکارساز فاز حساس به سطح محقق شده است. در این ساختار بدون استفاده از فیلتر پایین گذر در حلقه، ولتاژ کنترلی از دو مسیر به صورت تفاضلی ساخته می‌شود. با حذف فیلتر، میزان مساحت اشغالی حلقه کاهش یافته و مصالحه بین سطح شاخک و پهنای باند به حداقل می‌رسد. استفاده از دو آشکارساز فاز به صورت تفاضلی باعث تضعیف شاخک در حلقه می‌گردد. ساختار دیگری بر مبنای حذف فیلتر در حلقه‌ی نوع یک پیشنهاد شده است. با این رویکرد که ولتاژ کنترلی حلقه از خروجی نوسان‌ساز ساخته شود. این موضوع باعث دور شدن فاصله شاخک‌ها از فرکانس مرکزی نوسان‌ساز و افزایش پهنای باند به  گردیده است. در این ساختار نیز به همانند ساختار قبلی از فیلتر پایین گذر در حلقه استفاده نشده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی 65nm نشان می‌دهد، در اولین ساختار پیشنهادی سطح شاخک خروجی -72dBc، معیار لرزش 219.1fs و توان مصرفی 4.12mW می‌باشد. همچنین نتایج شبیه‌سازی در ساختار پیشنهادی دوم، سطح شاخک -83dBc ، معیار لرزش 518.7fs و توان مصرفی 4.15mW را نشان می‌دهد.

     

    خبر بعدی خبر قبلی

    ما را در شبکه‌های اجتماعی دنبال کنید

    © تمامی حقوق سایت برای دانشگاه تربیت مدرس محفوظ است.